Cambridge GaN Devices 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司,开发了一系列高能效氮化镓功率器件,致力于打造更环保的电子器件。CGD正在与全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®(纳斯达克股票代码:QRVO)合作开发GaN在电机控制应用中的参考设计和评估套件(EVK)。CGD旨在加快 GaN 功率 IC 在无刷直流电机(BLDC)和永磁同步电机(PMSM)应用中的使用,打造更高功率、高效、紧凑和可靠的系统。Qorvo在为其PAC5556A高性能 BLDC/PMSM 电机控制器和驱动器设计的 EVK 中采用了 CGD的ICeGaN™ (IC 增强型 GaN)技术。
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“与其他同行提供的 GaN 性能不同,我们提供的 ICeGaN HEMT 提供了接口电路,没有集成控制器;因此通过与高度集成的电机控制器和驱动 IC 进行简单的结合,ICeGaN 就可以由例如 Qorvo 的 PAC5556A 600 V高性能 BLDC/PMSM 电机控制器和驱动器的驱动器轻松驱动。我们很高兴与 Qorvo 合作,使其电机控制器和驱动器应用尽享 GaN 带来的益处。” |
除了易用性之外,与其他 GaN 器件相比,ICeGaN 还提供了以下几个显著的优点。ICeGaN 的栅极驱动电压与 IGBT 兼容。由于 ICeGaN 在 GaN IC 内集成了米勒箝位,所以不需要负关断电压,并且可以使用低成本的电流驱动器。最后,ICeGaN 内嵌电流感测功能,简化了电路设计并减少了物料清单(BOM)。
参考设计现已上市,EVK RD5556GaN 将在今年第3季度上市。该产品将于2024年6月11日至13日在德国纽伦堡举行的 PCIM 展览上首次公开展示。CGD的展位号为7-643。Qorvo展位号为7-406。
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